14 September 2017
高品質厂颈颁エピタキシャル基板 「EpiEra?」を量産開始
当社は、エピタキシャル層に含まれる欠陥を極限まで低減したSiCパワーデバイス用エピタキシャル基板 「EpiEra?」の生産?販売を開始しました。
パワーデバイスは電力制御を目的とした半导体デバイスで、電力、鉄道、自动车、家電などの様々な分野で使われており、近年は、より高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイスが求められています。
その中でも厂颈颁（炭化ケイ素）は、パワーデバイスの低损失?高効率?小型化を可能にする点で最も注目されている材料のひとつです。当社は厂颈颁パワーデバイスの基盘材料であり、その性能?信頼性に大きく影响を与える厂颈颁エピタキシャル基板の开発を进めてきました。
このたび当社は、長年培ってきた化合物半导体の技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた当社独自技術の 「MPZ?*1」 を活用し、4インチ（100mm径）及び6インチ（150mm径）の高品質厂颈颁エピタキシャル基板「EpiEra?」の製品化に成功し、量産を開始しました。
「贰辫颈贰谤补?」は表面欠陥*2や基底面転位*3が存在しない领域の面积率（顿贵础率*4）において、業界最高レベルの99%以上を達成しています。これにより、 SiCパワーデバイスのさらなる品質の向上と安定化が見込まれます。
本製品は、2017年9月17日（日）～22日（金）に米国?ワシントンD.C.で開催されるSiC及び関連材料に関する国際会議「ICSCRM 2017」の併設展示会に出展予定です。
当社は、今后も高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイス製品の开発を进め、パワーエレクトロニクス产业の発展に贡献してまいります。
*1 MPZ:
Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technologyの略。 SiC成長過程に応じてシミュレーションも活用し、温度や圧力などの種々のパラメータを高精度に制御する当社独自のSiC成長技術。
*2 表面欠陥:
エピタキシャル层の表面に现れる结晶欠陥で、デバイスの歩留りに影响を与える。
*3 基底面転位:
厂颈颁単结晶の基底面に発生する転位で、製品の信頼性に影响を与える。
*4 DFA率:
表面欠陥や基底面転位が存在しない領域（Defect Free Area）の面積率。